NTMS5835NLR2G

Specifications

Input Capacitance Ciss Max Vds

2115pF @ 20V

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Delay Time

22 ns

Yükseklik

1.5mm

Parça Durumu

Obsolete

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Fall Time Typ

9 ns

Number Of Elements

1

Rds On Max Id Vgs

10m Ω @ 10A, 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

5mm

Power Dissipation

1.5W

Montaj Tipi

Surface Mount

Current Continuous Drain Id25

9.2A Ta

Power Dissipation Max

1.5W Ta

Terminal Formu

GULL WING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Yüzey Montaj

YES

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Gate Charge Qg Max Vgs

50nC @ 10V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

8

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Contact Plating

Tin

Fet Type

N-Channel

Terminal Sayısı

8

Nominal Vgs

1.85 V

Genişlik

4mm

Turn On Delay Time

15 ns

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Pozisyonu

DUAL

Reach Svhc

Unknown

Threshold Voltage

1.85V

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ