NTMS4920NR2G

Specifications

Terminal Formu

GULL WING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Kurşunsuz Kodu

yes

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Gate Charge Qg Max Vgs

58.9nC @ 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fall Time Typ

42.2 ns

Turn Off Delay Time

68.6 ns

Fabrika Tedarik Süresi

51 Weeks

Yükseklik

1.5mm

Parça Durumu

Active

Power Dissipation

2.12W

Current Continuous Drain Id25

10.6A Ta

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Genişlik

4mm

JESD-609 Kodu

e3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Yayın Yılı

2009

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

8

Rise Time

4.7ns

Transistor Application

SWITCHING

Fet Type

N-Channel

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Sayısı

8

Yüzey Montaj

YES

Power Dissipation Max

820mW Ta

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

4068pF @ 25V

Number Of Elements

1

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Uzunluk

5mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount