NTMFS4943NT1G

Specifications

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Vgs Max

±20V

Element Configuration

Single

Yüzey Montaj

YES

Terminal Sayısı

5

Transistor Application

SWITCHING

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Rds On Max Id Vgs

7.2m Ω @ 30A, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

20.9nC @ 10V

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

8.3A Ta 41A Tc

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Terminal Formu

FLAT

Vgsth Max Id

2.2V @ 250μA

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Drainsource On Resistancemax

0.011Ohm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Case Connection

DRAIN

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

910mW Ta 22.3W Tc

Yayın Yılı

2007

Pin Sayısı

5

Terminal Pozisyonu

DUAL

Drain Currentmax Abs Id

8.3A

Fet Type

N-Channel

Avalanche Energy Rating Eas

31 mJ

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Input Capacitance Ciss Max Vds

1401pF @ 15V

Power Dissipation

2.6W

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN, 5 Leads

Kurşunsuz Kodu

yes

Parça Durumu

Obsolete