NTHS5443T1G

Specifications

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Element Configuration

Single

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Rise Time

14ns

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

C BEND

Yayın Yılı

2005

Yükseklik

1.1mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Element Material

SILICON

Montaj

Surface Mount

Voltage Rated Dc

-20V

Drainsource On Resistancemax

0.065Ohm

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Gate Charge Qg Max Vgs

12nC @ 4.5V

Pin Sayısı

8

Pin Sayısı

8

Current Continuous Drain Id25

3.6A Ta

Akım Değeri

-3.6A

Turn On Delay Time

8.5 ns

Vgsth Max Id

600mV @ 250μA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Continuous Drain Current Id

4.9A

Power Dissipation Max

1.3W Ta

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn Off Delay Time

38 ns

Uzunluk

3.1mm

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Genişlik

1.7mm

Number Of Elements

1

Fall Time Typ

14 ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Type

P-Channel