NTB6413ANT4G

Specifications

Uzunluk

10.29mm

Yükseklik

4.83mm

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation Max

136W Tc

Fet Type

N-Channel

Rise Time

84ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Genişlik

9.65mm

Element Configuration

Single

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Turn On Delay Time

13 ns

Direnç

28MOhm

Case Connection

DRAIN

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

Fall Time Typ

71 ns

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Rds On Max Id Vgs

28m Ω @ 42A, 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Power Dissipation

136W

Yayın Yılı

1999

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Vgs Max

±20V

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Gate Charge Qg Max Vgs

51nC @ 10V

Continuous Drain Current Id

42A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Transistor Element Material

SILICON