NTB45N06T4G

Specifications

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Genişlik

4.83mm

Element Configuration

Single

ECCN Kodu

EAR99

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Power Dissipation Max

2.4W Ta 125W Tj

Uzunluk

10.29mm

Yükseklik

11.05mm

Kurşunsuz

Lead Free

Fet Type

N-Channel

Rise Time

101ns

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Rds On Max Id Vgs

26m Ω @ 22.5A, 10V

Terminal Formu

GULL WING

Fall Time Typ

106 ns

Pin Sayısı

3

Case Connection

DRAIN

Direnç

26MOhm

Turn On Delay Time

10 ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

yes

Threshold Voltage

2.8V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Sayısı

2

Voltage Rated Dc

60V

Transistor Application

SWITCHING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gate Charge Qg Max Vgs

46nC @ 10V

Continuous Drain Current Id

45A

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Reach Svhc

No SVHC

Akım Değeri

45A

Vgs Max

±20V