NTB35N15T4G

Specifications

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Power Dissipation Max

2W Ta 178W Tj

Uzunluk

9.65mm

Yükseklik

4.83mm

Kurşunsuz

Lead Free

Fet Type

N-Channel

Rise Time

125ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Genişlik

10.29mm

Element Configuration

Single

ECCN Kodu

EAR99

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

20 ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

2

Voltage Rated Dc

150V

Transistor Application

SWITCHING

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Rds On Max Id Vgs

50m Ω @ 18.5A, 10V

Terminal Formu

GULL WING

Fall Time Typ

120 ns

Pin Sayısı

3

Vgs Max

±20V

Akım Değeri

37A

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipation

178W

Nominal Vgs

2.9 V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Yayın Yılı

2005

Drain To Source Breakdown Voltage

150V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON