MGSF1N02LT1

Specifications

Rds On Max Id Vgs

90m Ω @ 1.2A, 10V

Current Continuous Drain Id25

750mA Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Type

N-Channel

Number Of Elements

1

Jedec95 Code

TO-236AB

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2000

Power Dissipation Max

400mW Ta

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Vgs Max

±20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Vgsth Max Id

2.4V @ 250μA

Transistor Application

SWITCHING

Parça Durumu

Obsolete

JESD-609 Kodu

e0

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Terminal Pozisyonu

DUAL

ECCN Kodu

EAR99

Drain Currentmax Abs Id

0.75A

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yüzey Montaj

YES

Terminal Formu

GULL WING

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Qualification Status

Not Qualified

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Pin Sayısı

3

Drainsource On Resistancemax

0.09Ohm

Drain To Source Voltage Vdss

20V

HTS Kodu

8541.21.00.95

Terminal Sayısı

3

Input Capacitance Ciss Max Vds

125pF @ 5V