FQU5P20TU

Specifications

Kurşunsuz

Lead Free

JESD-609 Kodu

e3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Element Configuration

Single

Yükseklik

7.57mm

Turn Off Delay Time

12 ns

Akım Değeri

-3.7A

Weight

343.08mg

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Seri

QFET®

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Genişlik

2.5mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Power Dissipation Max

2.5W Ta 45W Tc

Current Continuous Drain Id25

3.7A Tc

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2013

Direnç

1.4Ohm

Drain To Source Voltage Vdss

200V

Power Dissipation

2.5W

Pin Sayısı

3

Drain To Source Breakdown Voltage

-200V

Fall Time Typ

25 ns

Rise Time

70ns

Montaj Tipi

Through Hole

Rds On Max Id Vgs

1.4 Ω @ 1.85A, 10V

Continuous Drain Current Id

3.7A

Uzunluk

6.8mm

Vgs Max

±30V

Radyasyon Dayanımı

No

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ