FDS4470

Specifications

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

4mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Threshold Voltage

3.9V

Transistor Element Material

SILICON

Avalanche Energy Rating Eas

370 mJ

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

50A

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Direnç

9MOhm

Yükseklik

1.5mm

Current Continuous Drain Id25

12.5A Ta

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Fall Time Typ

29 ns

Continuous Drain Current Id

12.5A

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

12.5A

Fet Type

N-Channel

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Weight

130mg

JESD-609 Kodu

e4

Input Capacitance Ciss Max Vds

2659pF @ 20V

Turn Off Delay Time

37 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

63nC @ 10V

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Turn On Delay Time

14 ns

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

8

Terminal Pozisyonu

DUAL

Voltage Rated Dc

40V

Uzunluk

5mm