FDN308P

Specifications

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fet Type

P-Channel

Akım Değeri

-1.5A

Transistor Element Material

SILICON

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Qualification Status

Not Qualified

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

2.5V 4.5V

Fall Time Typ

10 ns

Turn On Delay Time

8 ns

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Rise Time

10ns

Weight

30mg

Current Continuous Drain Id25

1.5A Ta

Rds On Max Id Vgs

125m Ω @ 1.5A, 4.5V

Threshold Voltage

-1V

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2001

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

500mW

Nominal Vgs

-1 V

Continuous Drain Current Id

-1.5A

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

JESD-609 Kodu

e3

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Terminal Sayısı

3

Vgs Max

±12V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

2.92mm

Yükseklik

940μm