BS107ARL1G

Specifications

Vgsth Max Id

3V @ 1mA

Rds On Max Id Vgs

6.4 Ω @ 250mA, 10V

Turn Off Delay Time

12 ns

Power Dissipation Max

350mW Ta

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Elements

1

Power Dissipation

350mW

Genişlik

4.19mm

Akım Değeri

250mA

Fet Type

N-Channel

Yüzey Montaj

NO

Yayın Yılı

2007

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Element Configuration

Single

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Uzunluk

5.2mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Weight

4.535924g

Current Continuous Drain Id25

250mA Ta

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Input Capacitance Ciss Max Vds

60pF @ 25V

Radyasyon Dayanımı

No

Direnç

6.4Ohm

Transistor Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Through Hole

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Threshold Voltage

3V

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Obsolete

Turn On Delay Time

6 ns

Transistor Application

SWITCHING

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yükseklik

5.33mm

Kurşunsuz

Lead Free