3LP01C-TB-E

Specifications

Yükseklik

1.1mm

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

2.9mm

JESD-609 Kodu

e6

Rds On Max Id Vgs

10.4 Ω @ 50mA, 4V

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Power Dissipation

250mW

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.5V 4V

Kurşunsuz Kodu

yes

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Rise Time

55ns

Terminal Formu

GULL WING

Input Capacitance Ciss Max Vds

7.5pF @ 10V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Fall Time Typ

130 ns

Fet Type

P-Channel

Current Continuous Drain Id25

100mA Ta

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Vgs Max

±10V

Gate Charge Qg Max Vgs

1.43nC @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Power Dissipation Max

250mW Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

1

Parça Durumu

Obsolete

Yayın Yılı

2009

Kurşunsuz

Lead Free

Continuous Drain Current Id

100mA

Pin Sayısı

3

Turn On Delay Time

24 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

-30V

Terminal Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Kaplaması

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)