PBRN123ET,215

Specifications

JESD-609 Kodu

e3

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Uzunluk

3mm

Vce Saturation Max Ib Ic

1.15V @ 8mA, 800mA

Collectoremitter Saturation Voltage

1.15V

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2007

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Number Of Elements

1

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Power Dissipation

250mW

Resistor Emitter Base R2

2.2 k Ω

Max Breakdown Voltage

40V

Transistor Application

SWITCHING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

280 @ 300mA 5V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Element Configuration

Single

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Yükseklik

1mm

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj

Surface Mount

Current Collector Cutoff Max

500nA

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Genişlik

1.4mm

Emitter Base Voltage Vebo

10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

PBRN123

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Max Collector Current

600mA

Terminal Formu

GULL WING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant