NX7002AKW,115

Specifications

Vgsth Max Id

2.1V @ 250μA

Terminal Formu

GULL WING

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Pin Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Current Continuous Drain Id25

170mA Ta

Montaj Tipi

Surface Mount

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Input Capacitance Ciss Max Vds

17pF @ 10V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Power Dissipation Max

220mW Ta 1.06W Tc

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Channels

1

Rise Time

7ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No

Max Dual Supply Voltage

60V

Drainsource On Resistancemax

5.2Ohm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Rds On Max Id Vgs

4.5 Ω @ 100mA, 10V

Turn Off Delay Time

20 ns

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V 10V

Continuous Drain Current Id

170mA

Yayın Yılı

2012

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

1.6V

Fall Time Typ

14 ns