BUK9Y153-100E,115

Specifications

Element Configuration

Single

Yayın Yılı

2014

Transistor Element Material

SILICON

Vgsth Max Id

2.1V @ 1mA

Fet Type

N-Channel

Parça Durumu

Active

Input Capacitance Ciss Max Vds

716pF @ 25V

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max Id Vgs

146m Ω @ 2A, 10V

Continuous Drain Current Id

9.4A

Turn On Delay Time

6 ns

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

SC-100, SOT-669

Fall Time Typ

7.9 ns

Number Of Channels

1

Gate Charge Qg Max Vgs

6.8nC @ 5V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Terminal Sayısı

4

Number Of Elements

1

Seri

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Pin Sayısı

4

Transistor Application

SWITCHING

Case Connection

DRAIN

Jedec95 Code

MO-235

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Avalanche Energy Rating Eas

9.5 mJ

Gate To Source Voltage Vgs

15V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgs Max

±10V

Current Continuous Drain Id25

9.4A Tc

Pin Sayısı

4