BSS84AK,215

Specifications

Vgs Max

±20V

Fet Type

P-Channel

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain Currentmax Abs Id

0.18A

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation Max

350mW Ta 1.14W Tc

Drainsource On Resistancemax

8.5Ohm

Pin Sayısı

3

Vgsth Max Id

2.1V @ 250μA

Terminal Sayısı

3

Yayın Yılı

2011

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

SWITCHING

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Ds Breakdown Voltagemin

50V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Input Capacitance Ciss Max Vds

36pF @ 25V

Montaj Tipi

Surface Mount

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Seri

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Parça Durumu

Active

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Continuous Drain Id25

180mA Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Gate Charge Qg Max Vgs

0.35nC @ 5V

Terminal Formu

GULL WING

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Rds On Max Id Vgs

7.5 Ω @ 100mA, 10V

Drain To Source Voltage Vdss

50V