SPW55N80C3FKSA1

Specifications

Avalanche Energy Rating Eas

2150 mJ

Yüzey Montaj

NO

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Drain To Source Voltage Vdss

800V

Transistor Application

SWITCHING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fet Type

N-Channel

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Vgs Max

±20V

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-247-3

Terminal Sayısı

3

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Number Of Elements

1

Parça Durumu

Active

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Yayın Yılı

2008

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drainsource On Resistancemax

0.085Ohm

Jesd30 Code

R-PSFM-T3

Ambalaj

Tube

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Current Continuous Drain Id25

54.9A Tc

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

150A

Power Dissipation Max

500W Tc

Input Capacitance Ciss Max Vds

7520pF @ 100V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Vgsth Max Id

3.9V @ 3.3mA

Ds Breakdown Voltagemin

800V

Rds On Max Id Vgs

85m Ω @ 32.6A, 10V

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Gate Charge Qg Max Vgs

288nC @ 10V

Seri

CoolMOS™ C3