IRLSL4030PBF

Specifications

Gate Charge Qg Max Vgs

130nC @ 4.5V

Gate To Source Voltage Vgs

16V

Pin Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fall Time Typ

170 ns

Ambalaj

Tube

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Continuous Drain Current Id

180A

Terminal Sayısı

3

Uzunluk

10.668mm

Vgs Max

±16V

Radyasyon Dayanımı

No

Rise Time

330ns

Power Dissipation Max

370W Tc

JESD-609 Kodu

e3

Direnç

4.3Ohm

Yayın Yılı

2009

Transistor Application

SWITCHING

Turn On Delay Time

74 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Montaj

Through Hole

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Power Dissipation

370W

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Seri

HEXFET®

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Genişlik

4.826mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

11360pF @ 50V

Yükseklik

9.652mm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Element Configuration

Single

Rds On Max Id Vgs

4.3m Ω @ 110A, 10V

Nominal Vgs

2.5 V

Turn Off Delay Time

110 ns

Kurşunsuz

Lead Free