IRFZ46NSTRLPBF

Specifications

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

GULL WING

Akım Değeri

53A

Vgs Max

±20V

Power Dissipation Max

3.8W Ta 107W Tc

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Parça Durumu

Active

Yükseklik

4.826mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Additional Feature

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

Voltage Rated Dc

55V

Power Dissipation

3.8W

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Rise Time

76ns

Rds On Max Id Vgs

16.5m Ω @ 28A, 10V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

10.668mm

Yayın Yılı

2004

JESD-609 Kodu

e3

Fall Time Typ

57 ns

Current Continuous Drain Id25

53A Tc

Fet Type

N-Channel

Input Capacitance Ciss Max Vds

1696pF @ 25V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Seri

HEXFET®

Montaj

Surface Mount

Genişlik

9.65mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Direnç

16.5mOhm

Gate Charge Qg Max Vgs

72nC @ 10V