IRFU3709ZPBF

Specifications

Uzunluk

6.73mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yayın Yılı

2004

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Rds On Max Id Vgs

6.5m Ω @ 15A, 10V

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

Rise Time

12ns

Transistor Application

SWITCHING

Vgsth Max Id

2.25V @ 250μA

Yükseklik

2.39mm

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation

79W

Voltage Rated Dc

30V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Parça Durumu

Obsolete

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

86A

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation Max

79W Tc

Vgs Max

±20V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Case Connection

DRAIN

Pin Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

86A

Drainsource On Resistancemax

0.0065Ohm

Number Of Elements

1

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Turn Off Delay Time

15 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

26nC @ 4.5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn On Delay Time

12 ns

Montaj Tipi

Through Hole