IRFU3410PBF

Specifications

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

6.7056mm

Yayın Yılı

2004

Rise Time

27ns

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Rds On Max Id Vgs

39m Ω @ 18A, 10V

Parça Durumu

Active

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Power Dissipation

110W

Voltage Rated Dc

100V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Yükseklik

6.22mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation Max

3W Ta 110W Tc

Vgs Max

±20V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Akım Değeri

31A

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Reach Svhc

No SVHC

Threshold Voltage

4V

Number Of Elements

1

Continuous Drain Current Id

31A

Pin Sayısı

3

Case Connection

DRAIN

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Turn Off Delay Time

40 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Dual Supply Voltage

100V

Genişlik

2.3876mm

Nominal Vgs

4 V

Montaj

Through Hole