IRFSL3206PBF

Specifications

Rds On Max Id Vgs

3m Ω @ 75A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Rise Time

82ns

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tube

Pulsed Drain Currentmax Idm

840A

Yayın Yılı

2008

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

10.668mm

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Vgs Max

±20V

Power Dissipation Max

300W Tc

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

210A

Voltage Rated Dc

60V

Power Dissipation

300W

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

9.65mm

Vgsth Max Id

4V @ 150μA

Parça Durumu

Active

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Turn Off Delay Time

55 ns

Pin Sayısı

3

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Case Connection

DRAIN

Number Of Elements

1

Continuous Drain Current Id

120A

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Seri

HEXFET®

Input Capacitance Ciss Max Vds

6540pF @ 50V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Current Continuous Drain Id25

120A Tc