IRFSL3006PBF

Specifications

Turn Off Delay Time

118 ns

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Rise Time

182ns

Transistor Application

SWITCHING

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Rds On Max Id Vgs

2.5m Ω @ 170A, 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

270A

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Number Of Elements

1

Case Connection

DRAIN

Yayın Yılı

2008

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Uzunluk

10.668mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

3

Fall Time Typ

189 ns

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Current Continuous Drain Id25

195A Tc

Power Dissipation Max

375W Tc

Vgs Max

±20V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Input Capacitance Ciss Max Vds

8970pF @ 50V

Seri

HEXFET®

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Montaj

Through Hole

Parça Durumu

Active

Genişlik

4.826mm

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Gate Charge Qg Max Vgs

300nC @ 10V