IRFR1018ETRPBF

Specifications

Element Configuration

Single

Avalanche Energy Rating Eas

88 mJ

Yükseklik

2.3876mm

Vgsth Max Id

4V @ 100μA

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Montaj

Surface Mount

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Parça Durumu

Active

Fall Time Typ

46 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

35ns

Jedec95 Code

TO-252AA

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2004

Gate Charge Qg Max Vgs

69nC @ 10V

Current Continuous Drain Id25

56A Tc

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Uzunluk

6.7056mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Turn On Delay Time

13 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

2290pF @ 50V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Formu

GULL WING

Case Connection

DRAIN

Continuous Drain Current Id

79mA

Transistor Element Material

SILICON

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

3

Vgs Max

±20V

Turn Off Delay Time

55 ns

Number Of Elements

1

Rds On Max Id Vgs

8.4m Ω @ 47A, 10V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No