IRFHM830TR2PBF

Specifications

Turn On Delay Time

12 ns

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

31nC @ 10V

Uzunluk

3.2766mm

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

2.35V @ 50μA

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Rds On Max Id Vgs

3.8m Ω @ 20A, 10V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Current Continuous Drain Id25

21A Ta 40A Tc

Kılıf / Paket

8-VQFN Exposed Pad

Threshold Voltage

1.8V

Genişlik

3.3mm

Power Dissipation

37W

Seri

HEXFET®

Continuous Drain Current Id

21A

Yükseklik

990.6μm

Rise Time

25ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Montaj

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Turn Off Delay Time

13 ns

Nominal Vgs

1.8 V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2005

Montaj Tipi

Surface Mount

Fall Time Typ

9.2 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

2155pF @ 25V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Parça Durumu

Obsolete

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Kurşunsuz

Lead Free

Reach Svhc

No SVHC

Max Power Dissipation

2.7W

Number Of Elements

1

Recovery Time

26 ns