IRFH6200TR2PBF

Specifications

Seri

HEXFET®

Power Dissipation

156W

Genişlik

5mm

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-PQFN (5x6)

Drain To Source Resistance

1.2mOhm

Direnç

1.2MOhm

Threshold Voltage

800mV

Radyasyon Dayanımı

No

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Rds On Max Id Vgs

0.95mOhm @ 50A, 10V

Rds On Max

950 μΩ

Current Continuous Drain Id25

49A Ta 100A Tc

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Gate Charge Qg Max Vgs

230nC @ 4.5V

Turn On Delay Time

14 ns

Pin Sayısı

8

Vgsth Max Id

1.1V @ 150μA

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Uzunluk

5.9944mm

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Parça Durumu

Obsolete

Input Capacitance

10.89nF

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Recovery Time

130 ns

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

3.6W

Reach Svhc

No SVHC

Kurşunsuz

Lead Free

Input Capacitance Ciss Max Vds

10890pF @ 10V

Turn Off Delay Time

140 ns

Element Configuration

Single

Fall Time Typ

160 ns

Yayın Yılı

2010

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Nominal Vgs

800 mV

Rise Time

74ns

Yükseklik

838.2μm