IRFH5007TRPBF

Specifications

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Seri

HEXFET®

Genişlik

5.15mm

Power Dissipation

3.6W

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

8

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

17A Ta 100A Tc

Radyasyon Dayanımı

No

Rds On Max Id Vgs

5.9m Ω @ 50A, 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

75V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Case Connection

DRAIN

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

4290pF @ 25V

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj

Surface Mount

Power Dissipation Max

3.6W Ta 156W Tc

Terminal Sayısı

5

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Rise Time

14ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Continuous Drain Current Id

100A

Yükseklik

990.6μm

Fall Time Typ

11 ns

Direnç

5.9MOhm

Jesd30 Code

R-PDSO-N5

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Vgsth Max Id

4V @ 150μA

Uzunluk

6.1468mm

Turn On Delay Time

10 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

98nC @ 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

1