IRFB4233PBF

Specifications

Fet Type

N-Channel

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj Tipi

Through Hole

Yükseklik

16.51mm

Element Configuration

Single

Turn On Delay Time

31 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Parça Durumu

Obsolete

Drain To Source Resistance

37mOhm

Uzunluk

10.6426mm

Vgs Max

±30V

Dual Supply Voltage

276V

Genişlik

4.82mm

Power Dissipation

370W

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal

Through Hole

Montaj

Through Hole

Rds On Max Id Vgs

37mOhm @ 28A, 10V

Current Continuous Drain Id25

56A Tc

Input Capacitance

5.51nF

Pin Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

56A

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-220AB

Reach Svhc

No SVHC

Power Dissipation Max

370W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max

37 mΩ

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tube

Yayın Yılı

2007

Nominal Vgs

5 V

Seri

HEXFET®

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Threshold Voltage

5V

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Drain To Source Voltage Vdss

230V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

TO-220-3

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~175°C TJ

Gate Charge Qg Max Vgs

170nC @ 10V