IRFB3307ZGPBF

Specifications

Drain To Source Resistance

5.8mOhm

Uzunluk

10.668mm

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Obsolete

Yükseklik

16.51mm

Element Configuration

Single

Turn On Delay Time

15 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Fet Type

N-Channel

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

4.826mm

Power Dissipation

230W

Fall Time Typ

65 ns

Continuous Drain Current Id

120A

Pin Sayısı

3

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-220AB

Current Continuous Drain Id25

120A Tc

Rds On Max Id Vgs

5.8mOhm @ 75A, 10V

Rise Time

64ns

Montaj

Through Hole

Input Capacitance

4.75nF

Radyasyon Dayanımı

No

Turn Off Delay Time

38 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

110nC @ 10V

Direnç

5.8MOhm

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Drain To Source Breakdown Voltage

75V

Input Capacitance Ciss Max Vds

4750pF @ 50V

Kılıf / Paket

TO-220-3

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Yayın Yılı

2008

Seri

HEXFET®

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Vgsth Max Id

4V @ 150μA

Drain To Source Voltage Vdss

75V

Power Dissipation Max

230W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)