IRF9410TRPBF

Specifications

Row Spacing

6.3 mm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Seri

HEXFET®

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Turn Off Delay Time

23 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

27nC @ 10V

Direnç

30mOhm

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Radyasyon Dayanımı

No

Current Continuous Drain Id25

7A Ta

Rds On Max Id Vgs

30m Ω @ 7A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Fall Time Typ

17 ns

Genişlik

3.9878mm

Kurşunsuz

Contains Lead, Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Not For New Designs

Transistor Element Material

SILICON

Vgs Max

±20V

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

2.5W Ta

JESD-609 Kodu

e3

Yayın Yılı

2004

Nominal Vgs

1 V

Threshold Voltage

1V

Akım Değeri

7A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

8

Voltage Rated Dc

30V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Formu

GULL WING