IRF8721GTRPBF

Specifications

Fall Time Typ

7 ns

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Power Dissipation

2.5W

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

3.9878mm

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Turn On Delay Time

8.2 ns

Yükseklik

1.4986mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Uzunluk

4.9784mm

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Vgsth Max Id

2.35V @ 25μA

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2009

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Reach Svhc

Unknown

Input Capacitance Ciss Max Vds

1040pF @ 15V

Terminal Formu

GULL WING

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate Charge Qg Max Vgs

12nC @ 4.5V

Turn Off Delay Time

8.1 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Terminal Sayısı

8

Radyasyon Dayanımı

No

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

14A