IRF7815TRPBF

Specifications

Fall Time Typ

8.3 ns

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

3.9878mm

Power Dissipation

2.5W

ECCN Kodu

EAR99

Yükseklik

1.4986mm

Turn On Delay Time

8.4 ns

Element Configuration

Single

Avalanche Energy Rating Eas

529 mJ

Fet Type

N-Channel

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgs Max

±20V

Uzunluk

4.9784mm

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2008

Vgsth Max Id

5V @ 100μA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn Off Delay Time

14 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

38nC @ 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

150V

Terminal Formu

GULL WING

Input Capacitance Ciss Max Vds

1647pF @ 75V

Direnç

43MOhm

Gate To Source Voltage Vgs

20V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Terminal Sayısı

8

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

5.1A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE