IRF7807ZTRPBF

Specifications

Power Dissipation

2.5W

Yükseklik

1.4986mm

Turn On Delay Time

6.9 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Uzunluk

4.9784mm

Yayın Yılı

2005

Nominal Vgs

1.8 V

Threshold Voltage

1.8V

Akım Değeri

11A

Reach Svhc

No SVHC

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

770pF @ 15V

Terminal Formu

GULL WING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

8

Voltage Rated Dc

30V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

11A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Montaj

Surface Mount

Rise Time

6.2ns

Fall Time Typ

3.1 ns

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Kurşunsuz

Contains Lead, Lead Free

Genişlik

3.9878mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Seri

HEXFET®

Vgsth Max Id

2.25V @ 250μA