IRF7495TR

Specifications

Gate Charge Qg Max Vgs

51nC @ 10V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Drainsource On Resistancemax

0.022Ohm

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Number Of Elements

1

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Voltage Rated Dc

100V

Yayın Yılı

2003

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Akım Değeri

7.3A

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Input Capacitance Ciss Max Vds

1530pF @ 25V

Seri

HEXFET®

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Rds On Max Id Vgs

22m Ω @ 4.4A, 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Kurşunsuz

Contains Lead

Terminal Formu

GULL WING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

JESD-609 Kodu

e3

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

8

Vgs Max

±20V

Radyasyon Dayanımı

No

Current Continuous Drain Id25

7.3A Ta

Pin Sayısı

8

Transistor Application

SWITCHING

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Power Dissipation

2.5W

Rise Time

13ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Continuous Drain Current Id

7.3A