IRF7492TRPBF

Specifications

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Drain Current Id

3.7A

Parça Durumu

Obsolete

Fet Type

N-Channel

Power Dissipation

2.5W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

13ns

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Drain To Source Resistance

79mOhm

Pin Sayısı

8

Direnç

79MOhm

Current Continuous Drain Id25

3.7A Ta

Radyasyon Dayanımı

No

Rds On Max

79 mΩ

Vgs Max

±20V

Genişlik

3.9878mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Turn On Delay Time

15 ns

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Rds On Max Id Vgs

79mOhm @ 2.2A, 10V

Seri

HEXFET®

Input Capacitance Ciss Max Vds

1820pF @ 25V

Yükseklik

1.4986mm

Element Configuration

Single

Uzunluk

4.9784mm

Fall Time Typ

14 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

200V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Drain To Source Voltage Vdss

200V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2007

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

2.5W Ta