IRF6717MTRPBF

Specifications

Nominal Vgs

1.8 V

Input Capacitance Ciss Max Vds

6750pF @ 13V

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Jesd30 Code

R-XBCC-N3

Uzunluk

6.35mm

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e1

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Genişlik

5.05mm

Continuous Drain Current Id

38A

Yayın Yılı

2012

Case Connection

DRAIN

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Fall Time Typ

15 ns

Drain Currentmax Abs Id

220A

Rds On Max Id Vgs

1.25m Ω @ 38A, 10V

Turn Off Delay Time

19 ns

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation Max

2.8W Ta 96W Tc

Rise Time

37ns

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

2.35V @ 150μA

Avalanche Energy Rating Eas

290 mJ

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

38A Ta 200A Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

25V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

BOTTOM