IRF6712STR1PBF

Specifications

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Turn On Delay Time

11 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric SQ

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ SQ

Gate Charge Qg Max Vgs

18nC @ 4.5V

Fall Time Typ

12 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Genişlik

3.95mm

Continuous Drain Current Id

17A

Yayın Yılı

2009

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Drain To Source Voltage Vdss

25V

Reach Svhc

No SVHC

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Turn Off Delay Time

14 ns

Rds On Max Id Vgs

4.9mOhm @ 17A, 10V

Drain To Source Resistance

8.7mOhm

Yükseklik

506μm

Input Capacitance

1.57nF

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

4.826mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

40ns

Power Dissipation Max

2.2W Ta 36W Tc

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Input Capacitance Ciss Max Vds

1570pF @ 13V

Threshold Voltage

1.9V

Nominal Vgs

1.9 V

Direnç

4.9MOhm

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Power Dissipation

2.2W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal

SMD/SMT

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

25V

Montaj Tipi

Surface Mount