IRF6691TR1PBF

Specifications

Input Capacitance

6.58nF

Akım Değeri

32A

Drain To Source Resistance

2.5mOhm

Rds On Max Id Vgs

1.8mOhm @ 15A, 10V

Turn Off Delay Time

25 ns

Vgs Max

±12V

Fet Type

N-Channel

Genişlik

5.05mm

Yayın Yılı

2006

Continuous Drain Current Id

26A

Fall Time Typ

10 ns

Dual Supply Voltage

20V

Number Of Elements

1

Rds On Max

1.8 mΩ

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Threshold Voltage

1.6V

Nominal Vgs

1.6 V

Input Capacitance Ciss Max Vds

6580pF @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

6.35mm

Yükseklik

506μm

Reach Svhc

No SVHC

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Gate Charge Qg Max Vgs

71nC @ 4.5V

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MT

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MT

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Turn On Delay Time

23 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

32A Ta 180A Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Seri

HEXFET®

Terminal

SMD/SMT

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)