IRF6655TR1PBF

Specifications

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Power Dissipation

42W

Vgsth Max Id

4.8V @ 25μA

Montaj

Surface Mount

Current Continuous Drain Id25

4.2A Ta 19A Tc

Pin Sayısı

5

Number Of Elements

1

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

62 mΩ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

2.8ns

Uzunluk

4.826mm

Radyasyon Dayanımı

No

Threshold Voltage

4V

Direnç

62MOhm

Nominal Vgs

4 V

Input Capacitance Ciss Max Vds

530pF @ 25V

Parça Durumu

Obsolete

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Dissipation Max

2.2W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

Reach Svhc

No SVHC

Element Configuration

Single

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Yükseklik

506μm

Input Capacitance

530pF

Drain To Source Resistance

53mOhm

Rds On Max Id Vgs

62mOhm @ 5A, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

11.7nC @ 10V

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric SH

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ SH

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

7.4 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V