IRF6648TR1PBF

Specifications

Gate Charge Qg Max Vgs

50nC @ 10V

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MN

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MN

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

16 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Continuous Drain Current Id

69A

Yayın Yılı

2006

Genişlik

5.05mm

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fall Time Typ

13 ns

Turn Off Delay Time

28 ns

Element Configuration

Single

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Akım Değeri

86A

Input Capacitance

2.12nF

Yükseklik

506μm

Drain To Source Resistance

7mOhm

Rds On Max Id Vgs

7mOhm @ 17A, 10V

Rise Time

29ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

60V

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

6.35mm

Direnç

7MOhm

Input Capacitance Ciss Max Vds

2120pF @ 25V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Seri

HEXFET®

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

89W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

4.9V @ 150μA