IRF6641TR1PBF

Specifications

Fall Time Typ

6.5 ns

Yayın Yılı

2007

Continuous Drain Current Id

3.7A

Genişlik

5.05mm

Rds On Max Id Vgs

59.9mOhm @ 5.5A, 10V

Drain To Source Resistance

59.9mOhm

Akım Değeri

4.6A

Input Capacitance

2.29nF

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Turn Off Delay Time

31 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

2290pF @ 25V

Nominal Vgs

4 V

Threshold Voltage

4V

Uzunluk

6.35mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max

59.9 mΩ

Number Of Elements

1

Dual Supply Voltage

200V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Turn On Delay Time

16 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MZ

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MZ

Gate Charge Qg Max Vgs

48nC @ 10V

Yükseklik

506μm

Drain To Source Voltage Vdss

200V

Element Configuration

Single

Reach Svhc

No SVHC

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

200V

Rise Time

11ns

Recovery Time

130 ns