IRF6635TRPBF

Specifications

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Jesd30 Code

R-XBCC-N3

Uzunluk

6.35mm

Threshold Voltage

1.8V

Nominal Vgs

1.8 V

Input Capacitance Ciss Max Vds

5970pF @ 15V

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Delay Time

33 ns

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Akım Değeri

32A

Rds On Max Id Vgs

1.8m Ω @ 32A, 10V

Genişlik

5.05mm

Yayın Yılı

2006

Continuous Drain Current Id

32mA

Case Connection

DRAIN

Fall Time Typ

8.3 ns

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Power Dissipation

89W

Vgsth Max Id

2.35V @ 250μA

Avalanche Energy Rating Eas

200 mJ

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

32A Ta 180A Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

13ns

Voltage Rated Dc

30V

Radyasyon Dayanımı

No

Direnç

1.8MOhm

Parça Durumu

Obsolete