IRF6635TR1PBF

Specifications

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

21 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MX

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MX

Gate Charge Qg Max Vgs

71nC @ 4.5V

Fall Time Typ

8.3 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Continuous Drain Current Id

25A

Yayın Yılı

2006

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Reach Svhc

No SVHC

Turn Off Delay Time

33 ns

Rds On Max Id Vgs

1.8mOhm @ 32A, 10V

Drain To Source Resistance

2.4mOhm

Input Capacitance

5.97nF

Akım Değeri

32A

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

30V

Rise Time

13ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Input Capacitance Ciss Max Vds

5970pF @ 15V

Direnç

1.8MOhm

Nominal Vgs

1.8 V

Power Dissipation

89W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Terminal

SMD/SMT

Seri

HEXFET®

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

1.8 mΩ

Number Of Elements

1