IRF6635TR1

Specifications

Voltage Rated Dc

30V

Rise Time

13ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Input Capacitance Ciss Max Vds

5970pF @ 15V

Threshold Voltage

1.8V

Power Dissipation

2.8W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Seri

HEXFET®

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

1.8 mΩ

Pin Sayısı

7

Current Continuous Drain Id25

32A Ta 180A Tc

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.35V @ 250μA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MX

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MX

Gate Charge Qg Max Vgs

71nC @ 4.5V

Continuous Drain Current Id

25A

Yayın Yılı

2005

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Reach Svhc

No SVHC

Rds On Max Id Vgs

1.8mOhm @ 32A, 10V

Akım Değeri

32A

Input Capacitance

5.97nF