IRF6631TR1PBF

Specifications

Parça Durumu

Obsolete

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation Max

2.2W Ta 42W Tc

Nominal Vgs

1.8 V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1450pF @ 15V

Voltage Rated Dc

30V

Uzunluk

4.826mm

Radyasyon Dayanımı

No

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

18ns

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

13A Ta 57A Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

7.8 mΩ

Vgsth Max Id

2.35V @ 25μA

Montaj

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Power Dissipation

42W

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fall Time Typ

4.9 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Continuous Drain Current Id

10A

Yayın Yılı

2006

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric SQ

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ SQ

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

15 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Gate Charge Qg Max Vgs

18nC @ 4.5V

Rds On Max Id Vgs

7.8mOhm @ 13A, 10V

Yükseklik

506μm

Akım Değeri

13A

Input Capacitance

1.45nF

Drain To Source Resistance

10.8mOhm

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Turn Off Delay Time

18 ns