IRF6626TR1PBF

Specifications

Power Dissipation Max

2.2W Ta 42W Tc

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Input Capacitance Ciss Max Vds

2380pF @ 15V

Direnç

5.4MOhm

Nominal Vgs

2.35 V

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

4.826mm

Voltage Rated Dc

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Rise Time

15ns

Rds On Max

5.4 mΩ

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

16A Ta 72A Tc

Number Of Elements

1

Vgsth Max Id

2.35V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Power Dissipation

42W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Fall Time Typ

4.5 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Genişlik

3.95mm

Continuous Drain Current Id

13A

Yayın Yılı

2006

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

13 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric ST

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ ST

Gate Charge Qg Max Vgs

29nC @ 4.5V

Rds On Max Id Vgs

5.4mOhm @ 16A, 10V

Drain To Source Resistance

7.1mOhm

Yükseklik

506μm

Akım Değeri

16A