IRF6617TR1PBF

Specifications

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 4.5V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

11 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ ST

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric ST

Continuous Drain Current Id

11A

Yayın Yılı

2006

Genişlik

3.95mm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Fall Time Typ

3.7 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Reach Svhc

No SVHC

Turn Off Delay Time

12 ns

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Drain To Source Resistance

10.3mOhm

Akım Değeri

42A

Input Capacitance

1.3nF

Yükseklik

506μm

Rds On Max Id Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

Rise Time

34ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

4.826mm

Voltage Rated Dc

30V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1300pF @ 15V

Nominal Vgs

2.35 V

Direnç

8.1MOhm

Power Dissipation Max

2.1W Ta 42W Tc

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Seri

HEXFET®

Power Dissipation

42W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj

Surface Mount