IRF6612TR1PBF

Specifications

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

52ns

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

6.35mm

Voltage Rated Dc

30V

Input Capacitance Ciss Max Vds

3970pF @ 15V

Direnç

3.3MOhm

Nominal Vgs

1.8 V

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Power Dissipation

89W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vgsth Max Id

2.25V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Rds On Max

3.3 mΩ

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

24A Ta 136A Tc

Number Of Elements

1

Gate Charge Qg Max Vgs

45nC @ 4.5V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

15 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MX

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MX

Genişlik

5.05mm

Continuous Drain Current Id

19A

Yayın Yılı

2006

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Fall Time Typ

4.8 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Reach Svhc

No SVHC

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Turn Off Delay Time

21 ns