IRF1324LPBF

Specifications

Input Capacitance Ciss Max Vds

7590pF @ 24V

Gate Charge Qg Max Vgs

240nC @ 10V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Radyasyon Dayanımı

No

Rds On Max

1.65 mΩ

Drain To Source Resistance

1.65mOhm

Nominal Vgs

4 V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Yayın Yılı

2009

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Current Continuous Drain Id25

195A Tc

Ambalaj

Tube

Montaj

Through Hole

Parça Durumu

Obsolete

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-262

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Drain To Source Voltage Vdss

24V

Continuous Drain Current Id

340A

Rise Time

190ns

Uzunluk

10.668mm

Drain To Source Breakdown Voltage

24V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

300W Tc

Input Capacitance

7.59nF

Fet Type

N-Channel

Turn On Delay Time

17 ns

Pin Sayısı

3

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Seri

HEXFET®

Montaj Tipi

Through Hole

Yükseklik

9.65mm

Power Dissipation

300W

Fall Time Typ

120 ns

Genişlik

4.826mm

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Reach Svhc

No SVHC

Vgs Max

±20V

Rds On Max Id Vgs

1.65mOhm @ 195A, 10V

Turn Off Delay Time

83 ns